恭賀本中心李坤彥教授成果登上GASE Newsletter 研究亮點
第三代半導體-碳化矽功率半導體元件的崛起
李教授的團隊克服碳化矽材料的缺點，也克服了4吋機臺在製程上的限制，成功地開發出1200 V碳化矽超接面金氧半場效電晶體。李教授的團隊也經過多次精密的計算和模擬，不斷提高碳化矽功率元件的電壓和降低漏電流，開發出3300 V的碳化矽金氧半場效電晶體，此碳化矽功率金氧半場效電晶體的耐壓可以達到4000伏特，並且在高偏壓下，逆向漏電流非常的低。
李教授的團隊開發的碳化矽超功率金氧半場效電晶體可以應用到5G、再生能源系統、電動車和國防工業領域，除了能達到節能減碳的目標，並能促進臺灣的第三代半導體產業發展，國防產業升級，催生新的產業和經濟模式，是國家發展的關鍵技術。
李坤彥教授
獲得美國普渡大學電機與資訊工程博士學位。致力於第三代半導體─碳化矽半導體功率元件研究。任教於國立臺灣大學工程科學及海洋工程學系，並擔任台大與工研院合設奈米科技研究中心副主任。李教授近三年曾獲得2019年的未來科技獎；2020年的創新創業激勵計畫的首獎-創業傑出獎；2021年的科研創業計畫（價創計畫）。
科技部全球事務與科學發展中心(MOST Center for Global Affairs and Science Engagement, GASE)
為促進台灣科研國際活動質量並重的創新發展，與全球夥伴共同面對世界重大挑戰，科技部於107年11月就臺灣科研國際化業務，成立了專責單位「科技部全球事務與科學發展中心」(MOST Center for Global Affairs and Science Engagement, GASE)，由全國15校共同推動。中心的首頁特設置Newsletters專區呈現臺灣研究成果，希望使臺灣優秀研究曝光並提升產學與國際交流的機會。